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MP38は、熱伝導性はあるが電子的に絶縁された基盤上に構築された表面実装コンポーネントから構成される、費用効果の高い高電圧MOSFETパワー・オペ・アンプです。低コストでありながら、MP38は、はるかに高価なハイブリッド・パワー・アンプに匹敵する機能と性能を備えています。 金属の基盤を使用することで、MP38は最大125ワットの消費電力と最大± 100ボルト(全体で200V)までの電源電圧に対応しています。入力を昇圧するオプション機能を使うと、アンプの小信号部を高電流出力ステージよりも高い電源電圧で動作させることが可能です。この場合、高電流時の動作効率を高めるため、電源レールへのほぼ直線的なスイングがバイアスの付加によって提供されます。外部補正を使って、ユーザーのニーズに合った性能に調整できます。4線式検出技術により、出力ラインの内部/外部ミリオーム寄生抵抗を考慮せずに電流を制限できます。出力ステージから静止電流を排除するために使用できるIqピンが用意されています。この場合、出力ステージはクラスCで動作し、静止電流消費が低下します。出力クロスオーバー歪みが重視されない用途に便利な機能です。 MP38AはAグレード・バージョンです。 アプリケーション:
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| Output Current MAX (A) | Supply Voltage MAX (V) | Slew Rate TYP (V/µs) | Standby Current MAX (mA) | Power Dissipation MAX (W) |
|---|---|---|---|---|
| MP38 | ||||
| 10 | 200 | 63 | 24 | 125 |
| MP38A | ||||
| 11 | 200 | 63 | 24 | 125 |
MP38は、熱伝導性はあるが電子的に絶縁された基盤上に構築された表面実装コンポーネントから構成される、費用効果の高い高電圧MOSFETパワー・オペ・アンプです。低コストでありながら、MP38は、はるかに高価なハイブリッド・パワー・アンプに匹敵する機能と性能を備えています。
金属の基盤を使用することで、MP38は最大125ワットの消費電力と最大± 100ボルト(全体で200V)までの電源電圧に対応しています。入力を昇圧するオプション機能を使うと、アンプの小信号部を高電流出力ステージよりも高い電源電圧で動作させることが可能です。この場合、高電流時の動作効率を高めるため、電源レールへのほぼ直線的なスイングがバイアスの付加によって提供されます。外部補正を使って、ユーザーのニーズに合った性能に調整できます。4線式検出技術により、出力ラインの内部/外部ミリオーム寄生抵抗を考慮せずに電流を制限できます。出力ステージから静止電流を排除するために使用できるIqピンが用意されています。この場合、出力ステージはクラスCで動作し、静止電流消費が低下します。出力クロスオーバー歪みが重視されない用途に便利な機能です。
MP38AはAグレード・バージョンです。
アプリケーション:
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