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PB51は、小信号の汎用オペ・アンプに電圧および電流ゲインを提供するために設計された高電圧、高電流のアンプです。ドライバ・アンプのフィードバック・ループにパワー・ブースターが含まれるため、ドライバの精度とブースターの広範囲の出力電圧レンジおよび電流許容力を兼ね備えた複合型アンプとなっています。また、外部電流制限抵抗器さえあれば正常に動作するアプリケーションの場合、PB51はドライバなしで使用できます。 出力ステージでは補正的なMOSFETを使用して、対称的な出力インピーダンスを提供し、バイポーラ・トランジスタによる二次絶縁破壊の制限を除去します。内部フィードバックとゲイン設定の抵抗器が、ピン・ストラップ可能な3ゲインを得るために提供されています。単一の外部抵抗器を使って、さらにゲインを得ることができます。ほとんどのドライバ／ゲイン構成では補正の必要はありませんが、必要な場合も単一の外部コンデンサで処理できます。ドライバ・アンプ、電流制限回路、電源電圧、電圧ゲイン、および補正を任意に選択することで、極めて柔軟に構成を調整できます。 このハイブリッド回路では、酸化ベリリウム(BeO)基盤、厚膜抵抗器、セラミック・コンデンサ、および半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。12ピンpower SIPパッケージは電気的に絶縁されています。 PB51AはAグレード・バージョンです。 アプリケーション:
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| Output Current MAX (A) | Supply Voltage MAX (V) | Slew Rate TYP (V/µs) | Standby Current MAX (mA) | Power Dissipation MAX (W) |
|---|---|---|---|---|
| 1.5 | 300 | 100 | 18 | 83 |
PB51は、小信号の汎用オペ・アンプに電圧および電流ゲインを提供するために設計された高電圧、高電流のアンプです。ドライバ・アンプのフィードバック・ループにパワー・ブースターが含まれるため、ドライバの精度とブースターの広範囲の出力電圧レンジおよび電流許容力を兼ね備えた複合型アンプとなっています。また、外部電流制限抵抗器さえあれば正常に動作するアプリケーションの場合、PB51はドライバなしで使用できます。
出力ステージでは補正的なMOSFETを使用して、対称的な出力インピーダンスを提供し、バイポーラ・トランジスタによる二次絶縁破壊の制限を除去します。内部フィードバックとゲイン設定の抵抗器が、ピン・ストラップ可能な3ゲインを得るために提供されています。単一の外部抵抗器を使って、さらにゲインを得ることができます。ほとんどのドライバ／ゲイン構成では補正の必要はありませんが、必要な場合も単一の外部コンデンサで処理できます。ドライバ・アンプ、電流制限回路、電源電圧、電圧ゲイン、および補正を任意に選択することで、極めて柔軟に構成を調整できます。
このハイブリッド回路では、酸化ベリリウム(BeO)基盤、厚膜抵抗器、セラミック・コンデンサ、および半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。12ピンpower SIPパッケージは電気的に絶縁されています。
PB51AはAグレード・バージョンです。
アプリケーション:
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