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PA85は、最大200mAの出力電流に対応するように設計された高電圧、高電力帯域幅のMOSFETオペ・アンプです。出力電圧は、最大で±215V(デュアル電源)または+440V(単一電源)までスイングできます。適切な電流制限抵抗器を選択することにより、安全動作領域(SOA)では二次絶縁破壊の制限はなく、あらゆる種類の負荷を監視できます。カスコード入力回路構成によって高い精度が実現されます。すべての内部バイアスは、ブートストラップされるツェナーMOSFET電流回路をリファレンスとします。その結果、PA85は他に類を見ない電源レンジと優れた電源電圧変動除去能力を備えます。MOSFET出力ステージには、直線的に動作するようにバイアスが加えられます。外部補正を使って柔軟に特定を調整できます。 このハイブリッド回路では、厚膜(サーメット)抵抗器、セラミック・コンデンサ、およびシリコン半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。8ピンのTO-3パッケージは溶接によって密封され、電気的に絶縁されています。圧縮性の断熱ワッシャーを使用した場合、保証は無効になります。 PA85AはAグレード・バージョンです。 アプリケーション:
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| Output Current MAX (A) | Supply Voltage MAX (V) | Slew Rate TYP (V/µs) | Standby Current MAX (mA) | Power Dissipation MAX (W) |
|---|---|---|---|---|
| 0.2 | 450 | 1000 | 25 | 30 |
PA85は、最大200mAの出力電流に対応するように設計された高電圧、高電力帯域幅のMOSFETオペ・アンプです。出力電圧は、最大で±215V(デュアル電源)または+440V(単一電源)までスイングできます。適切な電流制限抵抗器を選択することにより、安全動作領域(SOA)では二次絶縁破壊の制限はなく、あらゆる種類の負荷を監視できます。カスコード入力回路構成によって高い精度が実現されます。すべての内部バイアスは、ブートストラップされるツェナーMOSFET電流回路をリファレンスとします。その結果、PA85は他に類を見ない電源レンジと優れた電源電圧変動除去能力を備えます。MOSFET出力ステージには、直線的に動作するようにバイアスが加えられます。外部補正を使って柔軟に特定を調整できます。
このハイブリッド回路では、厚膜(サーメット)抵抗器、セラミック・コンデンサ、およびシリコン半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。8ピンのTO-3パッケージは溶接によって密封され、電気的に絶縁されています。圧縮性の断熱ワッシャーを使用した場合、保証は無効になります。
PA85AはAグレード・バージョンです。
アプリケーション:
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