PA50

400W高内部消費電力、40A、50V/µsパワー・アンプ


Output Current MAX (A)Supply Voltage MAX (V)Slew Rate TYP (V/µs)Standby Current MAX (mA)Power Dissipation MAX (W)
40 100 50 36 400
  • 技術資料は英語版のみのご利用となります。
隠す

関連資料

隠す

デザイン・リソース



隠す

表と図

  • TW05 図面 (pdf)
    11/2008, THERMAL WASHER, PDIP : 44 Kb

  • HS11 図面 (pdf)
    11/2005, HEATSINK, TO3 and PDIP : 103 Kb
  • MS05 図面 (pdf)
    12/2004, POWER DIP PACKAGE SOCKET : 104 Kb

  • HS18 図面 (pdf)
    9/2003, MODULAR PACKAGE HEATSINK : 78 Kb



PA50は、MOSFETパワー・オペ・アンプです。パワー・アンプの性能の限界をスルー・レートと電力帯域幅において拡張する一方で、電流と電力の高い定格を維持します。

入力を昇圧する機能を使うと、アンプの小信号部を高電流出力ステージよりも高い電源電圧で動作させることが可能です。この場合、高電流時の動作効率を高めるため、電源レールへのほぼ直線的なスイングがバイアスの付加によって提供されます。

PA50AはAグレード・バージョンです。

アプリケーション:

  • 半導体テスト制御

  • 高内部消費電力 - 400ワット
  • 高電流 - 40A連続、100Aピーク
  • 高いスルー・レート - 50V/µs
  • 入力昇圧(オプション)

PA50

400W高内部消費電力、40A、50V/µsパワー・アンプ

概要

Output Current MAX (A)Supply Voltage MAX (V)Slew Rate TYP (V/µs)Standby Current MAX (mA)Power Dissipation MAX (W)
40 100 50 36 400

製品概要

PA50は、MOSFETパワー・オペ・アンプです。パワー・アンプの性能の限界をスルー・レートと電力帯域幅において拡張する一方で、電流と電力の高い定格を維持します。

入力を昇圧する機能を使うと、アンプの小信号部を高電流出力ステージよりも高い電源電圧で動作させることが可能です。この場合、高電流時の動作効率を高めるため、電源レールへのほぼ直線的なスイングがバイアスの付加によって提供されます。

PA50AはAグレード・バージョンです。

アプリケーション:

特長

ブロック図

PA50 Product Diagram

技術資料は英語版のみのご利用となります。

関連資料

デザイン・リソース



表と図

  • TW05 図面 (pdf)
    11/2008, THERMAL WASHER, PDIP : 44 Kb

  • HS11 図面 (pdf)
    11/2005, HEATSINK, TO3 and PDIP : 103 Kb
  • MS05 図面 (pdf)
    12/2004, POWER DIP PACKAGE SOCKET : 104 Kb

  • HS18 図面 (pdf)
    9/2003, MODULAR PACKAGE HEATSINK : 78 Kb