PA09

150MHz、200V/µs、2Aパワー・アンプ


Output Current MAX (A)Supply Voltage MAX (V)Slew Rate TYP (V/µs)Standby Current MAX (mA)Power Dissipation MAX (W)
PA09
2 80 200 85 78
PA09M
3 80 200 85 78
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関連資料

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デザイン・リソース



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表と図

  • TW03 図面 (pdf)
    11/2008, THERMAL WASHER, TO3 : 41 Kb
  • HS11 図面 (pdf)
    11/2005, HEATSINK, TO3 and PDIP : 103 Kb





  • HS13 図面 (pdf)
    4/2004, TO3 PACKAGE HEATSINK : 78 Kb

  • HS14 図面 (pdf)
    1/2004, TO3 PACKAGE HEATSINK : 76 Kb


PA09は、DCから映像周波数レンジまでの多様な負荷を駆動するために最適化された高電圧、高出力電流のオペ・アンプです。優れた入力精度を実現するため、デュアル・モノリシックFET入力トランジスタが使用されています。このトランジスタでは、2個の高電圧トランジスタがカスコード接続され、非常に優れた共通モード特性を提供します。すべての内部電流および電圧のレベルは、電流回路からバイアスが加えられたツェナー・ダイオードをリファレンスとして処理されます。その結果、PA09は、広い電源電圧と温度レンジにおいて極めて優れたDCおよびACの安定性を備えています。

高速化と二次絶縁破壊の排除は、補完的なPower MOS出力ステージによって保証されます。最適な直線性を得るため、Power MOSトランジスタにはクラスA/Bモードになるようバイアスが加えられます。温度シャットオフ機能が内蔵されているため、基盤は加熱から完全に保護され、通常の動作状況で内部電流損失を抑制するために大型のヒートシンクを使用する必要はありません。内蔵された電流制限回路によってアンプの過負荷は回避されます。過渡的な誘導性負荷キックバックからの保護機能が、2個の内部ダイオードによって提供されます。外部フェーズ補正を使用することで最大の柔軟性が得られ、すべてのゲイン設定において最適なスルー・レートとゲイン帯域幅を備えた製品を作成することができます。負荷のかかる状態で連続して動作させる場合は、適切な定格のヒートシンクの使用を推奨します。

このハイブリッド集積回路では、厚膜(サーメット)抵抗器、セラミック・コンデンサ、およびシリコン半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。8ピンのTO-3パッケージ(CE適合)は溶接によって密封され、電気的に絶縁されています。圧縮性の断熱ワッシャーを使ったり、取り付けトルクが不適切だった場合は、製品の保証は無効になります。アプリケーション・ノート1「一般的な使用上の注意事項」を参照してください。

PA09Aは、Aグレード・バージョンです。PA09M/883は、軍事用グレードとして認定されたバージョンです。

アプリケーション:

  • 映像配信および増幅
  • 高速偏向回路
  • 最大2MHzまでの電流変換器
  • 同軸線ドライバ
  • パワーLEDまたはレーザー・ダイオード励起

  • Power MOS技術 - 2Aピーク定格
  • 高ゲイン帯域幅製品 - 150MHz
  • 高速スルー・レート - 200V/µs
  • 保護された出力ステージ - 温度シャットオフ
  • 優れた直線性 - クラスA/B出力
  • 広い電源レンジ(±12V~±40V)
  • 低バイアス電流、低雑音 - FET入力

PA09

150MHz、200V/µs、2Aパワー・アンプ

概要

Output Current MAX (A)Supply Voltage MAX (V)Slew Rate TYP (V/µs)Standby Current MAX (mA)Power Dissipation MAX (W)
PA09
2 80 200 85 78
PA09M
3 80 200 85 78

製品概要

PA09は、DCから映像周波数レンジまでの多様な負荷を駆動するために最適化された高電圧、高出力電流のオペ・アンプです。優れた入力精度を実現するため、デュアル・モノリシックFET入力トランジスタが使用されています。このトランジスタでは、2個の高電圧トランジスタがカスコード接続され、非常に優れた共通モード特性を提供します。すべての内部電流および電圧のレベルは、電流回路からバイアスが加えられたツェナー・ダイオードをリファレンスとして処理されます。その結果、PA09は、広い電源電圧と温度レンジにおいて極めて優れたDCおよびACの安定性を備えています。

高速化と二次絶縁破壊の排除は、補完的なPower MOS出力ステージによって保証されます。最適な直線性を得るため、Power MOSトランジスタにはクラスA/Bモードになるようバイアスが加えられます。温度シャットオフ機能が内蔵されているため、基盤は加熱から完全に保護され、通常の動作状況で内部電流損失を抑制するために大型のヒートシンクを使用する必要はありません。内蔵された電流制限回路によってアンプの過負荷は回避されます。過渡的な誘導性負荷キックバックからの保護機能が、2個の内部ダイオードによって提供されます。外部フェーズ補正を使用することで最大の柔軟性が得られ、すべてのゲイン設定において最適なスルー・レートとゲイン帯域幅を備えた製品を作成することができます。負荷のかかる状態で連続して動作させる場合は、適切な定格のヒートシンクの使用を推奨します。

このハイブリッド集積回路では、厚膜(サーメット)抵抗器、セラミック・コンデンサ、およびシリコン半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。8ピンのTO-3パッケージ(CE適合)は溶接によって密封され、電気的に絶縁されています。圧縮性の断熱ワッシャーを使ったり、取り付けトルクが不適切だった場合は、製品の保証は無効になります。アプリケーション・ノート1「一般的な使用上の注意事項」を参照してください。

PA09Aは、Aグレード・バージョンです。PA09M/883は、軍事用グレードとして認定されたバージョンです。

アプリケーション:

特長

ブロック図

PA09 Product Diagram

技術資料は英語版のみのご利用となります。

関連資料

デザイン・リソース



表と図

  • TW03 図面 (pdf)
    11/2008, THERMAL WASHER, TO3 : 41 Kb
  • HS11 図面 (pdf)
    11/2005, HEATSINK, TO3 and PDIP : 103 Kb





  • HS13 図面 (pdf)
    4/2004, TO3 PACKAGE HEATSINK : 78 Kb

  • HS14 図面 (pdf)
    1/2004, TO3 PACKAGE HEATSINK : 76 Kb