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SA03アンプは、3000Wを負荷に供給できるパルス幅アンプです。45kHzの内部オシレータは、外部コンポーネントを必要としません。クロック入力ステージによってオシレータ周波数が2つに分割され、22.5 kHzの基本スイッチングが提供されます。スイッチング周波数を下げたり、複数のアンプを同期したりするために、外部オシレータを使うこともできます。電流検知回路は、振幅データと方向データを提供するハーフブリッジごとに用意されています。入力シャットダウン機能は、Hブリッジ出力の4個のドライバをすべて無効にします。ハイサイド電流制限およびプログラム可能なローサイド電流制限の回路によって、負荷短絡だけでなく電源やグラウンドへの短絡からもアンプは保護されます。Hブリッジ入力MOSFETは、ダイの温度を直接検知する方法により温度超過から保護されています。12ピン溶接MO-127パワー・パッケージは、3平方インチのボード面積しか占めません。 アプリケーション:
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| Output Current MAX (A) | Supply Voltage MAX (V) | Switching Frequency (kHz) | Power Dissipation MAX (W) | Int. Power MAX (W) |
|---|---|---|---|---|
| 30 | 100 | 22.5 | 300 | 250 |
SA03アンプは、3000Wを負荷に供給できるパルス幅アンプです。45kHzの内部オシレータは、外部コンポーネントを必要としません。クロック入力ステージによってオシレータ周波数が2つに分割され、22.5 kHzの基本スイッチングが提供されます。スイッチング周波数を下げたり、複数のアンプを同期したりするために、外部オシレータを使うこともできます。電流検知回路は、振幅データと方向データを提供するハーフブリッジごとに用意されています。入力シャットダウン機能は、Hブリッジ出力の4個のドライバをすべて無効にします。ハイサイド電流制限およびプログラム可能なローサイド電流制限の回路によって、負荷短絡だけでなく電源やグラウンドへの短絡からもアンプは保護されます。Hブリッジ入力MOSFETは、ダイの温度を直接検知する方法により温度超過から保護されています。12ピン溶接MO-127パワー・パッケージは、3平方インチのボード面積しか占めません。
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