PA89は、最大出力電流75 mAの超高電圧MOSFETオペ・アンプです。出力電圧は、1000V p-p以上にスイングできます。適切な電流制限抵抗器を選択することにより、安全動作領域(SOA)では二次絶縁破壊の制限はなく、あらゆる種類の負荷を監視できます。カスコード入力回路構成によって高い精度と120dBのオープン・ループのゲイン性能が実現されます。すべての内部バイアスは、ブートストラップされるツェナーMOSFET電流回路をリファレンスとするため、PA89は広範囲の電源レンジと優れた電源電圧変動除去能力を備えます。MOSFET出力ステージには、クラスA/Bの線形動作を得るためにバイアスが加えられます。外部補正を使って柔軟に特定を調整できます。PA89は、長期安定性に関する軍用標準を満たすために100%のグロース・リーク・テストを受けています。
このハイブリッド集積回路では、酸化ベリリウム(BeO)基盤、厚膜抵抗器、セラミック・コンデンサ、および半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。MO-127高電圧Power Dip™パッケージは、溶接によって密封され、電気的に絶縁されています。圧縮性の断熱ワッシャーを使用した場合、製品の保証は無効になります
PA89AはAグレード・バージョンです。
アプリケーション:
| Part | Output Current MAX (A) | Supply Voltage MAX (V) | Slew Rate TYP (V/µs) | Standby Current MAX (mA) |  Power Dissipation MAX (W) |
|---|---|---|---|---|---|
| PA89 | 0.075 | 1200 | 30 | 6 | 40 |
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