PA09は、DCから映像周波数レンジまでの多様な負荷を駆動するために最適化された高電圧、高出力電流のオペ・アンプです。優れた入力精度を実現するため、デュアル・モノリシックFET入力トランジスタが使用されています。このトランジスタでは、2個の高電圧トランジスタがカスコード接続され、非常に優れた共通モード特性を提供します。すべての内部電流および電圧のレベルは、電流回路からバイアスが加えられたツェナー・ダイオードをリファレンスとして処理されます。その結果、PA09は、広い電源電圧と温度レンジにおいて極めて優れたDCおよびACの安定性を備えています。
高速化と二次絶縁破壊の排除は、補完的なPower MOS出力ステージによって保証されます。最適な直線性を得るため、Power MOSトランジスタにはクラスA/Bモードになるようバイアスが加えられます。温度シャットオフ機能が内蔵されているため、基盤は加熱から完全に保護され、通常の動作状況で内部電流損失を抑制するために大型のヒートシンクを使用する必要はありません。内蔵された電流制限回路によってアンプの過負荷は回避されます。過渡的な誘導性負荷キックバックからの保護機能が、2個の内部ダイオードによって提供されます。外部フェーズ補正を使用することで最大の柔軟性が得られ、すべてのゲイン設定において最適なスルー・レートとゲイン帯域幅を備えた製品を作成することができます。負荷のかかる状態で連続して動作させる場合は、適切な定格のヒートシンクの使用を推奨します。
このハイブリッド集積回路では、厚膜(サーメット)抵抗器、セラミック・コンデンサ、およびシリコン半導体チップを使って最大の信頼性、最小のサイズ、最高の性能を達成します。超音波で接合されたアルミニウム線の使用により、インタコネクトにはあらゆる動作温度で高い信頼性が得られます。8ピンのTO-3パッケージ(CE適合)は溶接によって密封され、電気的に絶縁されています。圧縮性の断熱ワッシャーを使ったり、取り付けトルクが不適切だった場合は、製品の保証は無効になります。アプリケーション・ノート1「一般的な使用上の注意事項」を参照してください。
PA09Aは、Aグレード・バージョンです。PA09M/883は、軍事用グレードとして認定されたバージョンです。
アプリケーション:
| Part | Output Current MAX (A) | Supply Voltage MAX (V) | Slew Rate TYP (V/µs) | Standby Current MAX (mA) |  Power Dissipation MAX (W) |
|---|---|---|---|---|---|
| PA09 | 2 | 80 | 200 | 85 | 78 |
| PA09M | 3 | 80 | 200 | 85 | 78 |
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